图片展示

IRF3205PBF

附件

产品详情

IRF3205PBF

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IRF3205PBF

描述

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

客户内部零件编号

详细描述

通孔 N 通道 55 V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB

规格书

 规格书

EDA/CAD 模型

IRF3205PBF 型号

产品属性

类别

分立半导体产品

晶体管

FET,MOSFET

单 FET,MOSFET

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

制造商

Infineon Technologies

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

146 nC @ 10 V

系列

HEXFET®

Vgs(最大值)

±20V

包装

管件

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3247 pF @ 25 V

零件状态

在售

功率耗散(最大值)

200W(Tc)

FET 类型

N 通道

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

技术

MOSFET(金属氧化物)

安装类型

通孔

漏源电压(Vdss)

55 V

供应商器件封装

TO-220AB

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

110A(Tc)

封装/外壳

TO-220-3

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

基本产品编号

IRF3205

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

8 毫欧 @ 62A,10V


报告产品信息错误

文档与媒体

规格书

IRF3205

PCN 设计/规格

Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021

其他相关文档

IR Part Numbering System

PCN 封装

Barcode Label Update 24/Feb/2017

产品培训模块

High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

EDA 模型

IRF3205PBF 型号

特色产品

Data Processing Systems

仿真模型

IRF3205PBF Saber Model

 


IRF3205PBF
长按识别二维码查看详情
长按图片保存/分享

公交

免费样品申请

  • 公司

  • 电话 *

  • 联系人

  • 样品申请 *

  • 提交

图片展示

产品中心

 

产品分类

品牌介绍

           

 

 

品控管理

           

流程管控

 

新闻中心 

          

行业新闻


联系我们

           


 

 

图片展示

  扫一扫关注我们  

Copyright @ 2020 广东信可达工业科技有限公司 .All Rights Reserved   ICP备案号123456789号     

Copyright @ 2020 广东信可达工业科技有限公司 .All Rights Reserved       

客服中心
联系电话
0756-6997981
二维码
扫码关注
添加微信好友,详细了解产品
使用企业微信
“扫一扫”加入群聊
复制成功!
添加微信好友,详细了解产品
我知道了