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MRFE6VS25NR1

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MRFE6VS25NR1

 

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Mouser编号:

841-MRFE6VS25NR1

制造商编号:

MRFE6VS25NR1

制造商:

NXP Semiconductors

窗体顶端

客户编号:

窗体底端

说明:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 The factory is currently not accepting orders for this product.

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

 MRFE6VS25NR1 数据表 (PDF)

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制造商:

NXP

产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管


发货限制:

 Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。


RoHS:



REACH - SVHC:



晶体管极性:

N-Channel

技术:

Si

Id-连续漏极电流:

210 mA

Vds-漏源极击穿电压:

133 V

工作频率:

1.8 MHz to 2 GHz

增益:

27 dB

输出功率:

25 W

最小工作温度:

- 40 C

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-270-2

晶体管类型:

LDMOS FET

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

NXP Semiconductors


湿度敏感性:

Yes


通道数量:

1 Channel


产品类型:

RF MOSFETs


系列:

MRFE6VS25N



500


子类别:

RF Transistors


类型:

RF Power MOSFET


Vgs - 栅极-源极电压:

+ 10 V


Vgs th-栅源极阈值电压:

2.5 V


零件号别名:

935319933528


单位重量:

529.550 mg


 

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MRFE6VS25NR1
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