MRFE6VS25NR1
图像仅供参考 请参阅产品规格 Mouser编号: 841-MRFE6VS25NR1 制造商编号: MRFE6VS25NR1 制造商: NXP Semiconductors 窗体顶端 客户编号: 
窗体底端 说明: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 The factory is currently not accepting orders for this product. 寿命周期: 寿命结束: 将过时且制造商将停产。 数据表: MRFE6VS25NR1 数据表 (PDF) ECAD模型:
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窗体底端 | 窗体顶端 产品属性 | 属性值 | 选择属性 | 制造商: | NXP | 
| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 发货限制: | Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 |
| RoHS: |
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| REACH - SVHC: |
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| 晶体管极性: | N-Channel | 
| 技术: | Si | 
| Id-连续漏极电流: | 210 mA | 
| Vds-漏源极击穿电压: | 133 V | 
| 工作频率: | 1.8 MHz to 2 GHz | 
| 增益: | 27 dB | 
| 输出功率: | 25 W | 
| 最小工作温度: | - 40 C | 
| 最大工作温度: | + 150 C | 
| 安装风格: | SMD/SMT | 
| 封装 / 箱体: | TO-270-2 | 
| 晶体管类型: | LDMOS FET | 
| 封装: | Reel | 
| 封装: | Cut Tape | 
| 封装: | MouseReel | 
| 商标: | NXP Semiconductors |
| 湿度敏感性: | Yes |
| 通道数量: | 1 Channel |
| 产品类型: | RF MOSFETs |
| 系列: | MRFE6VS25N |
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| 500 |
| 子类别: | RF Transistors |
| 类型: | RF Power MOSFET |
| Vgs - 栅极-源极电压: | + 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V |
| 零件号别名: | 935319933528 |
| 单位重量: | 529.550 mg |
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窗体底端 |